在全球半导体产业向高能效、高频化、高温化演进的关键节点，第三代半导体材料（碳化硅SiC、氮化镓GaN）凭借其宽禁带特性，正成为新能源、5G通信、电动汽车等领域的核心支撑技术。

在此背景下，TH521系列功率器件分析仪通过**架构设计，将多参数测量、多测量模块、超广工作范围等模块集成于单台设备，为应用提供质量保障。

TH521系列实现单机集成IV/CV/Qg/脚本测试/DataSheet五大核心测试模块，一站式覆盖功率器件静态稳态特性与动态开关性能的全维度核心参数测试。

TH521系列由主机加扩展器的形式组成，从下图可以看出，左图部分为仪器的主机，右图为大电流扩展器用于大电流测试。

有八种测量模块，各模块实现着独特的功能特性，能够根据客户的实际需求，灵活挑选不同型号的主机进行搭配组合。

在第三代半导体应用中，新能源汽车对碳化硅（SiC）功率器件的耐高压性能要求严苛。以3300V碳化硅MOSFET为例，其主驱逆变器、高压快充等场景需承受电网级电压波动与瞬态过压冲击，测试需采用远超标称电压的强化方案以确保可靠性。

TH521系列*大输出电压能达到±3500V*大输出电流能达到±1800A，电压测量*小分辨率100nV，电流测量*小分辨率10fA，针对电容测量集电极*大偏置电压达到±3500V，测量频率*高可以达到10MHz。

（TH521系列产品型号）

为提升功率器件研发效率并规避人工处理海量数据导致的误差风险，TH521系列技术资料生成系统基于标准化模板库，可自动创建功率器件（半导体和元器件）的技术资料。

TH521突破传统仪器依赖人工编程的模式，引入AI辅助编写Python测试脚本功能，通过自然语言交互实现“所思即所得"的脚本开发。这一突破性设计为功率器件研发从"经验驱动"向"数据驱动"的智能化转型提供了关键工具支撑。

同惠电子将持续深耕半导体测试领域，聚焦SiC/GaN等功率器件需求，突破动态参数、多物理场测试等关键技术，研发覆盖全周期的智能化测试方案，助力行业技术突破与国产化进程，为中国半导体产业链自主可控贡献力量。